سامسونگ خبر می دهد که موفق به تولید انبوه چیپ های حافظه DRAM با تکنولوژی ۱۰ نانومتری شده است. شرکت یاد شده بیان می کند که توانسته چیپ های حافظه از نوع DDR4 را در ظرفیت ۸ گیگابایتی و با تکنولوژی ۱۰ نانومتری پیش از رقبایی همانند SK Hynix و Micron تولید کند.
شرکت کره ای می گوید در سال جاری به تولید انبوه ماژول های SIMM در ظرفیت ۴ گیگابایت برای لپ تاپ ها، تا ۱۲۸ گیگابایت برای سازمان ها مشغول خواهد شد. کمپانی مذکور همچنین وعده داده که به زودی از چیپ های حافظه DRAM مختص موبایل های هوشمند با فناوری ۱۰ نانومتری پرده بر می دارد.
سامسونگ در سال گذشته حافظه های NAND فلش با تکنولوژی ۱۰ نانومتری را به SSD های خود آورد. اما اینطور که بیان می شود، انجام این کار برای چیپ های DRAM دشوارتر بوده است. سامسونگ می گوید دلیل چنین مسئله ای، این است که در حافظه های فرار (RAM)، باید از خازنی استفاده شود که برای ترانزیستورهای کوچکتر و ۱۰ نانومتری، مناسب باشد و قادر باشد الکتریسیته مورد نیاز را در خود ذخیره کند.
با استفاده از خازن جدید و ایجاد شدن فرصت برای ساختن DRAM های ۱۰ نانومتری، اکنون نتیجه چنین شده که همین چیپ ها به لطف ترانزیستورهای کوچکترشان، تا ۳۰ برابر از نسل های ۲۰ نانومتری سریع تر عمل کرده و ۲۰ درصد مصرف انرژی کمتری دارند. گفتنی است که سامسونگ ابتدا تصمیم دارد این نوع رم ها برای لپ تاپ ها توسعه دهد.
